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Diseño de un circuito integrado con tecnología de 180 nm, utilizando las librerías de diseño de TSMC y las librerías educativas de Synopsys: corrección de errores de densidad y polisilicio, verificación DRC y antena.

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dc.contributor.author Prado Búcaro, Noel Francisco
dc.date.accessioned 2024-09-17T19:36:35Z
dc.date.available 2024-09-17T19:36:35Z
dc.date.issued 2024
dc.identifier.uri https://repositorio.uvg.edu.gt/xmlui/handle/123456789/5633
dc.description Tesis. Licenciatura en Ingeniería Electrónica. Facultad de Ingeniería (70 p.). en_US
dc.description.abstract Este trabajo busca realizar mejoras al flujo de diseño de circuitos integrados propuesto en años anteriores, el cual utiliza las librerías de diseño de TSMC. Se busca también replicar el flujo de diseño con mejoras implementadas, haciendo uso de las librerías de diseño educativas de Synopsys. Una de las principales mejoras realizadas al flujo de diseño es la simplificación de la jerarquía de directorios que se utiliza para realizar tanto la síntesis lógica como la síntesis física. Esto permite facilitar la comprensión del flujo de diseño a futuros integrantes de la línea de investigación. Dentro del flujo de diseño de TSMC, uno de los principales problemas, por el cual no se ha logrado concluir el diseño del circuito, es la densidad de metal en distintas capas del circuito; el problema consiste en que no se llega el requisito mínimo para fabricación. Sin embargo, este año, se ha conseguido un runset a través del cual se debería de solucionar este problema. Sin embargo a pesar de que este programa reduce el porcentaje de error, no lo soluciona totalmente. La implementación del flujo de diseño en las librerías de Synopsys fue exitoso, en lo que se refiere a las etapas de síntesis lógica y síntesis física; sin embargo a través de la verificación DRC no se obtuvieron los resultados deseados; se determinó que esto era un problema del runset utilizado para realizar la verificación; dado que se realizaron múltiples pruebas con circuitos simples, y en todos los casos en los que existía más de una celda se obtenían múltiples errores. (LA) en_US
dc.language.iso es en_US
dc.publisher Universidad del Valle de Guatemala en_US
dc.subject Electronics -- Guatemala -- Technological innovation en_US
dc.subject Circuitos integrados en_US
dc.subject Diseño de circuitos integrados en_US
dc.subject Integrated circuits -- Design and construction en_US
dc.subject Integrated circuits en_US
dc.title Diseño de un circuito integrado con tecnología de 180 nm, utilizando las librerías de diseño de TSMC y las librerías educativas de Synopsys: corrección de errores de densidad y polisilicio, verificación DRC y antena. en_US
dc.type Public Thesis en_US


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