Naturaleza intrínseca del transistor de efectos de campo.

Abstract

INTRODUCCIÓN. Durante los últimos años, los elementos semiconductores han avanzado hasta el grado de sustituir a los tubos de vacío, no tan sólo reemplazándolos en gran número de aplicaciones sino además adquiriendo múltiples usos antes no imaginados. Este cambio gradual de componentes de vacío a componentes de estado sólido, ha ocurrido debido a que éstos últimos son más ventajosos por su tamaño reducido, poco consumo de potencia, larga vida, incrementos de resistencia mecánica, bajo costo y en muchos casos mejores características intrínsecas. Recientemente, gracias al acelerado avance que ha tenido el conocimiento de los fenómenos intrínsecos en sólidos, la tecnología asociada con la fabricación de semiconductores de uso específico y aprovechando la idea expresada por W. Shockley en 1952, salió de los laboratorios de Estado Sólido un transistor denominado "Transistor de efecto de campo". Este elemento tiene las características propias de un amplificador de voltaje, presenta una impedancia de entrada sumamente grande, tiene características de transferencia similares a las del tubo de vacío y ofrece ventajas adicionales. Al Físico siempre le ha interesado la medición de parámetros, preocupándose por medir en la forma más precisa y simple posible. En particular, a la detección de voltajes y corrientes se le ha dado mucha impoRtancia, sobre todo cuando éstos son muy pequeños. La detección de pequeños voltajes y corrientes suele llevarse a cabo por medio de microvoltímetros, los cuales emplean tubos de vacío, debido a la necesidad implícita de tener una gran impedancia de entrada para no consumir potencia del circuito en el que se está llevando a cabo la detección. La construcción de dichos equipos de detección, empleando tan sólo elementos de estado sólido es de gran valor para el Físico, debido a las ventajas intrínsecas que presentan los elementos de estado sólido sobre aquellos elementos de vacío. La idea del transistor de efecto de campo surgió antes que la del transistor de unión, pero debido a sofisticada tecnología involucrada en su fabricación, su desarrollo se postergó varios años, utilizándose el transistor de unión. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es mucho más simple que el de el transistor de unión, como veremos posteriormente. El transistor de efecto de campo no sólo es importante por la poten cialidad de sus aplicaciones, sino también porque su advenimiento y lo simple de su mecanismo, nos hace abrigar esperanzas de que en el futuro, profundizando nuestros conocimientos del comportamiento microscópico de los elementos de estado sólido, podremos hallar nuevos dispositivos que beneficien a la ciencia y a la Humanidad. La electrónica debe considerarse parte integral de la Física, especialmente después del advenimiento de los nuevos elementos semiconductores, que nos permiten visualizar la correlación existente entre los diferentes campos científicos y la electrónica. Deseo hacer notar, que en el desarrollo de este trabajo, se incluyen algunos términos en inglés, que no sólo, no tienen una traducción exacta, sino que al tratar de traducirlos, perderían la funcionalidad que poseen por ser parte de un lenguaje técnico. RR