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Diseño de un circuito integrado con tecnología de 180 nm, utilizando las librerías de diseño de TSMC y las librerías educativas de Synopsys: corrección de errores de densidad y polisilicio, verificación DRC y antena.

dc.contributor.authorPrado Búcaro, Noel Francisco
dc.date.accessioned2024-09-17T19:36:35Z
dc.date.available2024-09-17T19:36:35Z
dc.date.issued2024
dc.descriptionTesis. Licenciatura en Ingeniería Electrónica. Facultad de Ingeniería (70 p.).en_US
dc.description.abstractEste trabajo busca realizar mejoras al flujo de diseño de circuitos integrados propuesto en años anteriores, el cual utiliza las librerías de diseño de TSMC. Se busca también replicar el flujo de diseño con mejoras implementadas, haciendo uso de las librerías de diseño educativas de Synopsys. Una de las principales mejoras realizadas al flujo de diseño es la simplificación de la jerarquía de directorios que se utiliza para realizar tanto la síntesis lógica como la síntesis física. Esto permite facilitar la comprensión del flujo de diseño a futuros integrantes de la línea de investigación. Dentro del flujo de diseño de TSMC, uno de los principales problemas, por el cual no se ha logrado concluir el diseño del circuito, es la densidad de metal en distintas capas del circuito; el problema consiste en que no se llega el requisito mínimo para fabricación. Sin embargo, este año, se ha conseguido un runset a través del cual se debería de solucionar este problema. Sin embargo a pesar de que este programa reduce el porcentaje de error, no lo soluciona totalmente. La implementación del flujo de diseño en las librerías de Synopsys fue exitoso, en lo que se refiere a las etapas de síntesis lógica y síntesis física; sin embargo a través de la verificación DRC no se obtuvieron los resultados deseados; se determinó que esto era un problema del runset utilizado para realizar la verificación; dado que se realizaron múltiples pruebas con circuitos simples, y en todos los casos en los que existía más de una celda se obtenían múltiples errores. (LA)en_US
dc.identifier.urihttps://repositorio.uvg.edu.gt/handle/123456789/5633
dc.language.isoesen_US
dc.publisherUniversidad del Valle de Guatemalaen_US
dc.subjectElectronics -- Guatemala -- Technological innovationen_US
dc.subjectCircuitos integradosen_US
dc.subjectDiseño de circuitos integradosen_US
dc.subjectIntegrated circuits -- Design and constructionen_US
dc.subjectIntegrated circuitsen_US
dc.titleDiseño de un circuito integrado con tecnología de 180 nm, utilizando las librerías de diseño de TSMC y las librerías educativas de Synopsys: corrección de errores de densidad y polisilicio, verificación DRC y antena.en_US
dc.typeTrabajo de grado - Pregradospa
dc.type.visibilityPublic Thesisen_US
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